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【2h】

On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs

机译：基于SiC的背面安装大功率GaN FET的衬底热优化

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Cappelluti, Federica; Furno, M.; Angelini, A.; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni;
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年度 2007
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs [J] . Cappelluti F., Furno M., Angelini A., IEEE Transactions on Electron Devices . 2007,第7期

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2. C-doped GaN buffer layers with high breakdown voltages for high-power operation AlGaN/GaN HFETs on 4-in Si substrates by MOVPE [J] . Sadahiro Kato, Yoshihiro Satoh, Hitoshi Sasaki, Journal of Crystal Growth . 2007,第Jan期

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